Válassza ki országát vagy régióját.

Otthon
Termékek
Diszkrét félvezető termékek
Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - tömbök, előzetes
UMD12NTR

UMD12NTR

LAPIS Semiconductor
A kép ábrázolás lehet.
A termék részleteit lásd a specifikációkban.
LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
Cikkszám:
UMD12NTR
Gyártó / Márka:
LAPIS Semiconductor
termékleírás:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Adatlapokat:
1.UMD12NTR.pdf2.UMD12NTR.pdf
RoHs állapota:
Ólommentes / RoHS megfelelő
Készletek állapota:
941721 pcs stock
Innen szállítva:
Hong Kong
Szállítási út:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

AJáNLAT KéRéSE

Kérjük, töltse ki az összes kötelező mezőt az elérhetőségeivel. Kattintson az "SUBMIT RFQ"
gombra. Rövidesen e-mailben felvesszük Önnel a kapcsolatot. Vagy küldjön e-mailt nekünk: info@Micro-Semiconductors.com

In Stock 941721 pcs Referenciaár (amerikai dollárban)

  • 3000 pcs
    $0.032
  • 6000 pcs
    $0.03
  • 15000 pcs
    $0.028
  • 30000 pcs
    $0.026
Irányár(USD):
Mennyiség:
Kérjük, adja meg a megcélzott árat, ha a megadottnál nagyobb mennyiség van.
Teljes: $0.00
UMD12NTR
Cégnév
Kapcsolattartó neve
Email
Üzenet
LAPIS Semiconductor

Az UMD12NTR specifikációi

LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
(Kattintson az üresre az automatikus bezáráshoz)
Cikkszám UMD12NTR Gyártó LAPIS Semiconductor
Leírás TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 Ólommentes állapot / RoHS állapot Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség 941721 pcs stock Adatlap 1.UMD12NTR.pdf2.UMD12NTR.pdf
Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V Vce telítettség (Max) Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Tranzisztor típusú 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Szállító eszközcsomag UMT6
Sorozat - Ellenállás - emitteralap (R2) 47 kOhms
Ellenállás - alap (R1) 47 kOhms Teljesítmény - Max 150mW
Csomagolás Tape & Reel (TR) Csomagolás / tok 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Szerelési típus Surface Mount Nedvességérzékenységi szint (MSL) 1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje 10 Weeks Ólommentes állapot / RoHS állapot Lead free / RoHS Compliant
Frekvencia - Átmenet 250MHz Részletes leírás Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V Aktuális - Collector Cutoff (Max) 500nA
Áram - kollektor (Ic) (Max) 100mA Alap rész száma MD12
Leállitás

Kapcsolódó termékek

Kapcsolódó címkék

Forró információk