Válassza ki országát vagy régióját.

Otthon
Termékek
Diszkrét félvezető termékek
Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - tömbök, előzetes
UMH9NTN

UMH9NTN

LAPIS Semiconductor
A kép ábrázolás lehet.
A termék részleteit lásd a specifikációkban.
LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
Cikkszám:
UMH9NTN
Gyártó / Márka:
LAPIS Semiconductor
termékleírás:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Adatlapokat:
1.UMH9NTN.pdf2.UMH9NTN.pdf
RoHs állapota:
Ólommentes / RoHS megfelelő
Készletek állapota:
946308 pcs stock
Innen szállítva:
Hong Kong
Szállítási út:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

AJáNLAT KéRéSE

Kérjük, töltse ki az összes kötelező mezőt az elérhetőségeivel. Kattintson az "SUBMIT RFQ"
gombra. Rövidesen e-mailben felvesszük Önnel a kapcsolatot. Vagy küldjön e-mailt nekünk: info@Micro-Semiconductors.com

In Stock 946308 pcs Referenciaár (amerikai dollárban)

  • 3000 pcs
    $0.032
  • 6000 pcs
    $0.03
  • 15000 pcs
    $0.027
  • 30000 pcs
    $0.026
Irányár(USD):
Mennyiség:
Kérjük, adja meg a megcélzott árat, ha a megadottnál nagyobb mennyiség van.
Teljes: $0.00
UMH9NTN
Cégnév
Kapcsolattartó neve
Email
Üzenet
LAPIS Semiconductor

Az UMH9NTN specifikációi

LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
(Kattintson az üresre az automatikus bezáráshoz)
Cikkszám UMH9NTN Gyártó LAPIS Semiconductor
Leírás TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 Ólommentes állapot / RoHS állapot Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség 946308 pcs stock Adatlap 1.UMH9NTN.pdf2.UMH9NTN.pdf
Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V Vce telítettség (Max) Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tranzisztor típusú 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Szállító eszközcsomag UMT6
Sorozat - Ellenállás - emitteralap (R2) 47 kOhms
Ellenállás - alap (R1) 10 kOhms Teljesítmény - Max 150mW
Csomagolás Tape & Reel (TR) Csomagolás / tok 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Más nevek UMH9NTNTR Szerelési típus Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL) 1 (Unlimited) A gyártó szabványos leadási ideje 10 Weeks
Ólommentes állapot / RoHS állapot Lead free / RoHS Compliant Frekvencia - Átmenet 250MHz
Részletes leírás Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6 DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Aktuális - Collector Cutoff (Max) 500nA Áram - kollektor (Ic) (Max) 100mA
Alap rész száma *MH9  
Leállitás

Kapcsolódó termékek

Kapcsolódó címkék

Forró információk