Válassza ki országát vagy régióját.

Otthon
Termékek
Diszkrét félvezető termékek
Tranzisztorok - bipoláris (BJT) - tömbök, előzetes
NSVMUN5336DW1T1G

NSVMUN5336DW1T1G

NSVMUN5336DW1T1G Image
A kép ábrázolás lehet.
A termék részleteit lásd a specifikációkban.
AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Cikkszám:
NSVMUN5336DW1T1G
Gyártó / Márka:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
termékleírás:
COMPLEMENTARY DIGITAL TRA
Adatlapokat:
NSVMUN5336DW1T1G.pdf
RoHs állapota:
Ólommentes / RoHS megfelelő
Készletek állapota:
608246 pcs stock
Innen szállítva:
Hong Kong
Szállítási út:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

AJáNLAT KéRéSE

Kérjük, töltse ki az összes kötelező mezőt az elérhetőségeivel. Kattintson az "SUBMIT RFQ"
gombra. Rövidesen e-mailben felvesszük Önnel a kapcsolatot. Vagy küldjön e-mailt nekünk: info@Micro-Semiconductors.com

In Stock 608246 pcs Referenciaár (amerikai dollárban)

  • 3000 pcs
    $0.037
Irányár(USD):
Mennyiség:
Kérjük, adja meg a megcélzott árat, ha a megadottnál nagyobb mennyiség van.
Teljes: $0.00
NSVMUN5336DW1T1G
Cégnév
Kapcsolattartó neve
Email
Üzenet
NSVMUN5336DW1T1G Image

Az NSVMUN5336DW1T1G specifikációi

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
(Kattintson az üresre az automatikus bezáráshoz)
Cikkszám NSVMUN5336DW1T1G Gyártó AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Leírás COMPLEMENTARY DIGITAL TRA Ólommentes állapot / RoHS állapot Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség 608246 pcs stock Adatlap NSVMUN5336DW1T1G.pdf
Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V Vce telítettség (Max) Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tranzisztor típusú 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Szállító eszközcsomag SC-88/SC70-6/SOT-363
Sorozat Automotive, AEC-Q101 Ellenállás - emitteralap (R2) 100 kOhms
Ellenállás - alap (R1) 100 kOhms Teljesítmény - Max 187mW
Csomagolás / tok 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Szerelési típus Surface Mount
A gyártó szabványos leadási ideje 40 Weeks Ólommentes állapot / RoHS állapot Lead free / RoHS Compliant
Frekvencia - Átmenet - Részletes leírás Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Aktuális - Collector Cutoff (Max) 500nA
Áram - kollektor (Ic) (Max) 100mA  
Leállitás

Kapcsolódó termékek

Kapcsolódó címkék

Forró információk