Válassza ki országát vagy régióját.

Otthon
Termékek
Diszkrét félvezető termékek
Tranzisztorok - Bipoláris (BJT) - Egyedülálló, elő
DTC143TCAHZGT116

DTC143TCAHZGT116

DTC143TCAHZGT116 Image
A kép ábrázolás lehet.
A termék részleteit lásd a specifikációkban.
LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
Cikkszám:
DTC143TCAHZGT116
Gyártó / Márka:
LAPIS Semiconductor
termékleírás:
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
Adatlapokat:
1.DTC143TCAHZGT116.pdf2.DTC143TCAHZGT116.pdf
RoHs állapota:
Ólommentes / RoHS megfelelő
Készletek állapota:
1680712 pcs stock
Innen szállítva:
Hong Kong
Szállítási út:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

AJáNLAT KéRéSE

Kérjük, töltse ki az összes kötelező mezőt az elérhetőségeivel. Kattintson az "SUBMIT RFQ"
gombra. Rövidesen e-mailben felvesszük Önnel a kapcsolatot. Vagy küldjön e-mailt nekünk: info@Micro-Semiconductors.com

In Stock 1680712 pcs Referenciaár (amerikai dollárban)

  • 1 pcs
    $0.07
  • 10 pcs
    $0.066
  • 25 pcs
    $0.06
  • 100 pcs
    $0.043
  • 250 pcs
    $0.025
  • 500 pcs
    $0.021
  • 1000 pcs
    $0.014
Irányár(USD):
Mennyiség:
Kérjük, adja meg a megcélzott árat, ha a megadottnál nagyobb mennyiség van.
Teljes: $0.00
DTC143TCAHZGT116
Cégnév
Kapcsolattartó neve
Email
Üzenet
DTC143TCAHZGT116 Image

Az DTC143TCAHZGT116 specifikációi

LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
(Kattintson az üresre az automatikus bezáráshoz)
Cikkszám DTC143TCAHZGT116 Gyártó LAPIS Semiconductor
Leírás NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR Ólommentes állapot / RoHS állapot Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség 1680712 pcs stock Adatlap 1.DTC143TCAHZGT116.pdf2.DTC143TCAHZGT116.pdf
Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V Vce telítettség (Max) Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tranzisztor típusú NPN - Pre-Biased + Diode Szállító eszközcsomag SST3
Sorozat Automotive, AEC-Q101 Ellenállás - alap (R1) 4.7 kOhms
Teljesítmény - Max 350mW Csomagolás Cut Tape (CT)
Csomagolás / tok TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Más nevek DTC143TCAHZGT116CT
Szerelési típus Surface Mount Nedvességérzékenységi szint (MSL) 1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje 7 Weeks Ólommentes állapot / RoHS állapot Lead free / RoHS Compliant
Frekvencia - Átmenet 250MHz Részletes leírás Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50V 100mA 250MHz 350mW Surface Mount SST3
DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V Aktuális - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Áram - kollektor (Ic) (Max) 100mA  
Leállitás

Kapcsolódó termékek

Kapcsolódó címkék

Forró információk